学术报告通知——新型半导体材料光电表征及器件设计——林乾乾-武汉大学

活动

   名称:

新型半导体材料光电表征及器件设计

活动
简介

时间

2019-05-30 17:19:15

地点

C321

申办

单位

材料学院

主讲人

林乾乾

国籍

中华人民共和国

使用

语言

汉语

主讲人
简介

林乾乾,男,武汉大学物理科学与技术学院教授。2013年接受澳大利亚政府全额奖学金支持,在昆士兰大学有机光电子中心攻读博士学位,师从澳大利亚科学院院士Paul Burn教授和光电子学专家Paul Meredith教授。2016年,在英国牛津大学物理系从事博士后研究,合作导师为光谱学专家Laura   Herz教授和钙钛矿太阳能电池的先驱工作者Henry Snaith教授。2017年,入职武汉大学物理学院。主要从事新型半导体材料的物理表征和光电器件的研究,包括新一代薄膜太阳能电池、光电探测器、发光二极管和场效应管等。目前发表学术论文30余篇,包括Nat. Photonics, Nat. EnergyAdv. Mater., Acc. Chem. Res.Adv. Funct.   Mater.Adv. Energy Mater.等权威期刊,文章总引用达2100余次,申请国内外专利6项。

活动
内容
摘要

近几年,有机半导体、量子点和钙钛矿等新型半导体材料被广泛的研究。由于其柔性、廉价和性能容易被调控等优点,基于这些新材料的光电器件也取得了日新月异的进展,比如薄膜太阳能电池、发光二极管、场效应管、光电探测器等。相比于硅、砷化镓等传统的无机半导体,新型半导体一般更无序和复杂多变,对其光电性能还缺乏系统性认识,对于这些新材料在半导体器件上的工作原理也存在一些争议,对于结构性能关系的研究和器件设计的探索也显得极为迫切和重要。本人近几年的研究主要集中在有机半导体和钙钛矿材料的光电表征上,尤其是半导体内载流子的产生、输运、复合、注入和抽取,还有界面层的调控等核心过程。在材料的物理表征方面,汲取了多种现有方法的优缺点,尝试并改进了一些测试方法。对于不同的材料体系,也选择并优化了相应的测试手段。本次报告,首先介绍和比较几种常用的光电表征方法,包括瞬态和稳态的电学表征,还有常用的几种光谱学表征技术。之后简单介绍些本人对于光电器件设计方面的理解,这些会以薄膜太阳能电池和光电探测器来举例说明。